Toshiba

0 товаров

Фильтр

Максимальный непрерывный ток коллектора

Тип канала

Режим канала

Конфигурация транзистора

Типичное время задержки выключения

Максимальный непрерывный ток стока

Скорость переключения

Минимальная рабочая температура

Максимальная рабочая температура

Типичное время задержки включения

Тип корпуса

Тип монтажа

Категория

Ширина

Размеры

Длина

Высота

Серия

Прямая активная межэлектродная проводимость

Прямое напряжение диода

Типичный коэффициент усиления по мощности

Типичный заряд затвора при Vgs

Типичная входная емкость при Vds

Число контактов

Максимальное напряжение сток-исток

Максимальное сопротивление сток-исток

Количество элементов на ИС

Материал транзистора

Максимальное напряжение затвор-исток

Минимальное напряжение включения транзистора

Максимальное напряжение включения транзистора

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

Емкость затвора

Energy Rating

    Showing 1–5 of 295 results295

    Продуктов на странице:
    Описание Цена Максимальный непрерывный ток коллектора Тип канала Напряжение на входе Конфигурация транзистора Режим канала Типичное время задержки выключения Максимальный непрерывный ток стока Макс-пороговое напряжение Скорость переключения Минимальная рабочая температура Максимальная рабочая температура Типичное время задержки включения Входная емкость Тип корпуса Тип монтажа Категория Ширина Размеры Длина Серия Прямая активная межэлектродная проводимость Прямое напряжение диода Автомобильный стандарт Типичный коэффициент усиления по мощности Типичный заряд затвора при Vgs Типичная входная емкость при Vds Высота Число контактов Максимальное напряжение сток-исток Максимальное сопротивление сток-исток Количество элементов на ИС Материал транзистора Максимальное напряжение затвор-исток Минимальное напряжение включения транзистора Максимальное напряжение включения транзистора Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) Максимальное напряжение затвор-эмиттер Емкость затвора Energy Rating Number of Transistors Высота

    Купить New Toshiba 2SK3564(STA4,Q,M) N-channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin TO-220SIS

    Артикул: 144-5262

    Брэнд: Toshiba

    ₽9.39
    - N - Одинарный Усиление 125 ns 3 A - - - +150 °C 40 W @ 25 °C 60 ns - TO-220SIS Монтаж на плату в отверстия Мощный МОП-транзистор 4.5mm 10 x 4.5 x 15mm 10mm - 2.6S 1.9V - - 17 nC @ 10 V 700 pF@ 25 V 15mm 3 900 V 4.3 Ω 1 Кремний +30 V 2V 4V - - - - - -

    Купить New Toshiba 2SK3564(STA4,Q,M) N-channel MOSFET, 3 A, 900 V, 3-Pin TO-220SIS

    Артикул: 144-5101

    Брэнд: Toshiba

    ₽8.45
    - N - Одинарный Усиление 125 ns 3 A - - - +150 °C 40 W @ 25 °C 60 ns - TO-220SIS Монтаж на плату в отверстия Мощный МОП-транзистор 4.5mm 10 x 4.5 x 15mm 10mm - 2.6S 1.9V - - 17 nC @ 10 V 700 pF@ 25 V 15mm 3 900 V 4.3 Ω 1 Кремний +30 V 2V 4V - - - - - -

    Купить New Toshiba SSM3J332R,LF(T P-channel MOSFET, 6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23F

    Артикул: 144-5111

    Брэнд: Toshiba

    ₽3256.52
    - P - Одинарный - 75 ns 6 A - - - +150 °C 2 W 15 ns - SOT-23F Поверхностный монтаж Мощный МОП-транзистор 1.8mm 2.9 x 1.8 x 0.8mm 2.9mm - 11.3S - - - 8.2 @ -4.5 V nC 560 pF @ -15 V 0.8mm 3 30 V 144 mΩ 1 Кремний +12 V 0.5V 1.2V - - - - - -

    Купить New Toshiba SSM3J332R,LF(T P-channel MOSFET, 6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23F

    Артикул: 144-5252

    Брэнд: Toshiba

    ₽1.69
    - P - Одинарный - 75 ns 6 A - - - +150 °C 2 W 15 ns - SOT-23F Поверхностный монтаж Мощный МОП-транзистор 1.8mm 2.9 x 1.8 x 0.8mm 2.9mm - 11.3S - - - 8.2 @ -4.5 V nC 560 pF @ -15 V 0.8mm 3 30 V 144 mΩ 1 Кремний +12 V 0.5V 1.2V - - - - - -

    Купить New Toshiba SSM3J334R,LF(T P-channel MOSFET, 4 A, 30 V, 3-Pin SOT-23F

    Артикул: 144-5260

    Брэнд: Toshiba

    ₽2.58
    - P - Одинарный - 22 ns 4 A - - - +150 °C 2 W 13 ns - SOT-23F Поверхностный монтаж Мощный МОП-транзистор 1.8mm 2.9 x 1.8 x 0.8mm 2.9mm - 4.6S - - - 5.9 @ -10 V nC 280 pF @ -15 V 0.8mm 3 30 V 136 mΩ 1 Кремний 20 V 0.8V 2V - - - - - -